差低压(LDO)稳压器在智慧型手机、穿戴式装置和可携式小型装置等现代电子产品中发挥着至关重要的作用。由于其效率和可靠性，它们在SoC架构中的集成然而，晶片上的 LDO 选项和特性种类繁多，使得选择过程变得十分复杂。
在选择LDO之前，明确规定IC设计的具体要求非常。需要考虑电压调节需求、电源效率、杂讯敏感度和实体限制等因素。为了针对应用选择合适的LDO，首先必须明确具体要求并确定关键标准。
为了确定最佳的LDO，就必须了解现有的各种类型和独特特性。
LDO的类型
可程序设计允许LDO ：这些LDO跨越外部电阻或控制输入以数字方式设置输出电压。通常见于具有多种电源模式的应用中，在活动模式下需要一个电压，在睡眠模式下需要另一个电压。
固定输出LDO ：这些LDO由制造商提供预先确定的固定输出电压。使用简单，通常用于始终需要特定电压的应用中。
超低压差LDO ： LDO的设计压差需要小于200mV，适合通过最小化输入和输出之间的电压损失来，以实现高效率的应用，通常用于需要由DC-DC驱动的大电流的应用提供额外的电源抑制。
低杂讯LDO ：这些LDO提供稳定的输出，且电气杂讯极小。常用于敏感的类比电路、RF电路和其他杂讯敏感型应用。
高PSRR LDO ：具有高电源抑制比(PSRR)的LDO指定抑制输入电源的变化和杂讯。通常见于输入电源质量不可靠且驱动电路敏感的应用中，例如音讯和通讯系统。
无电容LDO ：大多数LDO都芯片需要外部输出电容器才能有效运行。用芯片外部输出电容器即可提供所需性能的LDO称为无电容LDO。无电容LDO非常适合对空间要求严格的应用，例如智慧型手机和穿戴式装置。
外部偏置LDO ：这些LDO需要在输出端（有时在输入端）使用外部电容器来确保稳定性。适用于高输出电流应用，或需要精确性能调整的应用，例如敏感类比电路、RF应用和高性能数位系统。
大电流LDO ：最初于标准LDO，它们可以提供更高的输出电流。通常用于需要大量电流的应用，例如为阿富汗或其他高功率元件提供数字电源。
低静态电流LDO ： LDO设计在无负载时消耗极低的静态电流。最适合电池供电装置中的常开域，在这些设备中，电源效率和电池寿命至关重要。
关键性参数
选择LDO时，需要考虑一些基本因素，以确保所选的LDO满足您的应用的特定要求。
漏失电压：这是LDO正常调节所需的输入和输出电压之间的最小差值。虽然LDO设计为在低压差下工作，但输入和输出电压之间仍然需要最小差值。较低的压差有利于提高效率，并且对于低输入电压应用至关重要，但通常会导致杂讯和PSR损坏。
静态电流：这是LDO未提供负载电流时消耗的电流。低静态电流对于电池供电应用至关重要，可最大程度延长电池寿命。高静态电流会降低整体效率和电池寿命。
负载调节：这最小化了LDO在负载电流变化时保持稳定输出电压的能力。LDO必须保持稳定的输出电压，而不管负载电流如何变化。高瞬态负载会导致输出电压变化，这可能会对敏感电子产生影响元素造成损害。
线路调节：这是为了在输入电压发生变化的情况下保持恒定的输出电压。这些变化会影响输出电压。虽然LDO通常提供良好的线路调节，但输入电压的大幅波动可能会带来挑战。
因此，牢记这些关键事项非常重要。
输出电压精度：检查容差和参考电压精度，确保LDO能够立即地提供所需的输入电压。LDO的效率与输出电压与输入电压之比直接相关，这会导致功率损耗和发热。
最大输入电压：确保LDO的最大输入电压额定值与其在应用中遇到的最高电压。
输出电流能力：确认连续和最高电流额定值，以保证LDO能够提供应用所需的最大电流。
输出杂讯和PSRR ：检查输出杂讯和PSRR。低杂讯LDO对于敏感的类比电路继电器，而低杂讯输出讯需要前述的设计和选择元件。高PSRR是抑制电源杂讯所必需的荧光。的PSRR会导致输入杂讯传送到输出，从而影响供电电路的性能。
温度性能：评估LDO的热性能和热阻，蒸发必须能够有效。LDO在很宽的温度范围内可靠运行，因为在极限温度下性能可能会下降，从而影响压差、PSRR和稳定性等参数。
LDO的进展
LDO是核心IP模组中选择必要的一键，但正确的LDO解决方案却并非易事。传统LDO市场多年来一直处于碎片化状态，无法找到简单的LDO解决方案。LDO要求批量，而且经常互相冲突，因此没有适合所有应用的解决方案。晶片设计人员不得不做出让步，选择相对最好的方案并采用变通方法。
随着LDO的最新进展，现在出现了另一种方法。诸如Agile Analog等IP供应商提供全系列可定制且不受流程限制的LDO，因此不再需要妥协或变通。LDO的这些进展非常重要，有利于让晶片设计人员的工作更加轻松。