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公开(公告)号
公开(公告)日
公开(公告)日
申请号
申请号
申请日
申请日
发明(设计)人
发明(设计)人
申请(专利权)人
申请(专利权)人
代理机构
代理机构
IPC分类号
IPC分类号
1
US20160181087A1
Particle removal with minimal etching of silicon-germanium
发明申请
标题翻译:
硅锗的最小刻蚀去除颗粒
公开(公告)号:
US20160181087A1
公开(公告)日:
2016-06-23
申请号:
US14/576,554
申请日:
2014-12-19
发明(设计)人:
Foster, John
Bentley, Steven
Lin, Sean
Rath, Dave
Sankarapandian, Muthumanickam
Xie, Ruilong
申请(专利权)人:
Intermolecular Inc.
IBM-International Business Machines Corporation
IPC分类号:
H01L21/02
摘要:
Particle-clean formulations and methods for semiconductor substrates use aqueous solutions of tetraethylammonium hydroxide (“TEAH,” C8H21NO) with or without hydrogen peroxide (H2O2). The solution pH ranges from 8-12.5. At process temperatures between 20-70 C, the TEAH solutions have been observed to remove particles from silicon-germanium (SiGe) with 20-99% Ge content in 15-300 seconds with very little etching (SiGe etch rates<1 nm/min).
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笔记
2
DE102004023407B8
Testvorrichtung und Verfahren zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns sowie zugehöriger Halbleiterchip
发明授权
标题翻译:
测试装置及测试嵌入式存储器核心及相关半导体晶片的方法
公开(公告)号:
DE102004023407B8
公开(公告)日:
2014-01-23
申请号:
DE102004023407
申请日:
2004-05-12
发明(设计)人:
Wang, Li
Boehler, Thomas
Dasappa, Jairam Vasudev
申请(专利权)人:
Infineon Technologies AG
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
G11C7/24
摘要:
Testvorrichtung zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns (100) auf einem Halbleiterchip mit einer integrierten Selbsttest-Schaltung (102) mit: einer Vorrichtung (142) zum Simulieren eines integrierten Selbsttests mit einer Steuerschnittstelle zum Initialisieren und Takten der integrierten Selbsttest-Schaltung auf dem Halbleiterchip; einem Adressengenerator (144) zum Generieren einer ersten Adressensequenz, die mit einer zweiten Adressensequenz übereinstimmt, die von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100) generiert wird, wobei der Adressengenerator (144) Taktungsinformationen von der Vorrichtung (142) zum Simulieren des integrierten Selbsttests zum Synchronisieren der ersten Adressensequenz mit der zweiten Adressensequenz empfängt; und Dateneingabeknoten (138) zum Empfangen von Datenausgangsbussignalen von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100), wobei die Datenausgangsbussignale anzeigen, ob einzelne Speicherzellen den integrierten Selbsttest nicht bestanden haben, und wobei die Testvorrichtung dazu ausgebildet ist, einen bestimmten Speicherzellenfehler mit einer entsprechenden Adresse zu korrelieren, die von dem Adressengenerator (144) generiert wird.
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笔记
3
DE102012218390A1
Optimierung der Erkennung von Objekten in Bildern
发明申请
标题翻译:
图像中物体识别的优化
公开(公告)号:
DE102012218390A1
公开(公告)日:
2013-04-25
申请号:
DE102012218390
申请日:
2012-10-09
发明(设计)人:
Li, Ying
Pankanti, Sharathchandra
申请(专利权)人:
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
G06K9/62
摘要:
Ein System und Verfahren erkennen Objekte in einem digitalen Bild. Es werden mindestens Positionsdaten empfangen, die einem Fahrzeug zugeordnet sind. Geographische Informationen, die zu den Positionsdaten gehören, werden empfangen. Auf der Grundlage der geographischen Daten wird eine Wahrscheinlichkeit für das Erkennen eines Zielobjektes innerhalb eines entsprechenden geographischen Bereichs ermittelt. Die Wahrscheinlichkeit wird mit einem gegebenen Schwellenwert verglichen. Als Reaktion darauf, dass die Wahrscheinlichkeit größer oder gleich dem gegebenen Schwellenwert ist, wird ein Objekterkennungsprozess mindestens eines von aktiviert und in einem aktivierten Zustand gehalten. Der Objekterkennungsprozess erkennt Zielobjekte innerhalb eines Bildes, das mindestens ein Einzelbild einer Videobildfolge einer externen Umgebung darstellt. Als Reaktion darauf, dass die Wahrscheinlichkeit unter dem gegebenen Schwellenwert liegt, wird der Objekterkennungsprozess mindestens eines von deaktiviert und in einem deaktivierten Zustand gehalten.
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笔记
4
DE102004023407B4
Testvorrichtung und Verfahren zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns sowie zugehöriger Halbleiterchip
发明授权
标题翻译:
测试装置及测试嵌入式存储器核心及相关半导体晶片的方法
公开(公告)号:
DE102004023407B4
公开(公告)日:
2013-10-10
申请号:
DE102004023407
申请日:
2004-05-12
发明(设计)人:
Wang, Li
Boehler, Thomas
Dasappa, Jairam Vasudev
申请(专利权)人:
Infineon Technologies AG
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
G11C7/24
摘要:
Testvorrichtung zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns (100) auf einem Halbleiterchip mit einer integrierten Selbsttest-Schaltung (102) mit: einer Vorrichtung (142) zum Simulieren eines integrierten Selbsttests mit einer Steuerschnittstelle zum Initialisieren und Takten der integrierten Selbsttest-Schaltung auf dem Halbleiterchip; einem Adressengenerator (144) zum Generieren einer ersten Adressensequenz, die mit einer zweiten Adressensequenz übereinstimmt, die von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100) generiert wird, wobei der Adressengenerator (144) Taktungsinformationen von der Vorrichtung (142) zum Simulieren des integrierten Selbsttests zum Synchronisieren der ersten Adressensequenz mit der zweiten Adressensequenz empfängt; und Dateneingabeknoten (138) zum Empfangen von Datenausgangsbussignalen von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100), wobei die Datenausgangsbussignale anzeigen, ob einzelne Speicherzellen den integrierten Selbsttest nicht bestanden haben, und wobei die Testvorrichtung dazu ausgebildet ist, einen bestimmten Speicherzellenfehler mit einer entsprechenden Adresse zu korrelieren, die von dem Adressengenerator (144) generiert wird.
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笔记
5
DE602006012843D1
VERBESSERUNG DER VERARBEITUNG IN DATENVERARBEITUNGSUMGEBUNGEN MIT SEITENERSETZUNG FÜR GASTENANWENDUNGEN
外观设计
标题翻译:
提高数据处理环境中的处理水平,对气体应用程序进行侧移处理
公开(公告)号:
DE602006012843D1
公开(公告)日:
2010-04-22
申请号:
DE602006012843
申请日:
2006-07-13
发明(设计)人:
Franke, Hubertus
Heller, Lisa
Adlung, Ingo
Holder, William
Mansell, Ray
Osisek, Damian
Philley, Randall
Schwidefsky, Martin
Sittmann, Gustav
Choi, Jong Hyuk
申请(专利权)人:
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
G06F9/455
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笔记
6
DE10296608B4
Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle
发明授权
标题翻译:
制造存储单元的方法
公开(公告)号:
DE10296608B4
公开(公告)日:
2010-10-14
申请号:
DE10296608
申请日:
2002-04-08
发明(设计)人:
Radens, Carl
Kudelka, Stephan
Dyer, Thomas W
Prakash, Jai V C
申请(专利权)人:
Qimonda AG
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
H01L21/8242
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笔记
7
DE60320301T2
公开(公告)号:
DE60320301T2
公开(公告)日:
2009-06-25
申请号:
DE60320301
申请日:
2003-12-10
发明(设计)人:
Reohr, William Robert
Gogl, Dietmar
Scheuerlein, Roy Edwin
申请(专利权)人:
Qimonda AG
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
G11C11/16
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笔记
8
DE10315050B4
Niederspannungspegelwandler mit Zwischenspeicherfunktion
发明授权
标题翻译:
索赔人称,但也可以说,
公开(公告)号:
DE10315050B4
公开(公告)日:
2009-04-23
申请号:
DE10315050
申请日:
2003-04-02
发明(设计)人:
Kirihata, Toshiaki
Mueller, Gerhard
Hanson, David
申请(专利权)人:
Qimonda AG
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
H03K19/0185
摘要:
Die Erfindung betrifft eine Niederspannungspegel-Wandlerschaltung mit einem eingebetteten Zwischenspeicher, die auf einer Signalleitung implementiert ist, auf der Niederspannungssignale anliegen. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Niederspannungspegel-Wandlerschaltung, die zum Empfangen von Niederspannungs-Eingangssignalen von einem ersten Abschnitt der Signalleitung und zum Ausgeben von Ausgangssignalen höherer Spannung auf einem zweiten Abschnitt der Signalleitung ausgelegt ist. Die Erfindung betrifft außerdem eine Zwischenspeicherschaltung, die zum Zwischenspeichern von Niederspannungs-Eingangssignalen von dem ersten Abschnitt der Signalleitung ausgelegt ist.
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笔记
9
DE10310080B4
Formation of at least one deep trench structure comprises forming epitaxial silicon film on at least some portions of sidewalls of deep trench to reduce initial dimensions of deep trenches to targeted dimensions
发明授权
标题翻译:
形成至少一个深沟槽结构包括在深沟槽的侧壁的至少一些部分上形成外延硅膜,以将深沟槽的初始尺寸减小到目标尺寸,
公开(公告)号:
DE10310080B4
公开(公告)日:
2009-05-07
申请号:
DE10310080
申请日:
2003-03-07
发明(设计)人:
Chan, Kevin
Kulkarni, Subhash
Mathad, Gangadhara
Ranade, Raijv M
申请(专利权)人:
Qimonda AG
IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
IPC分类号:
H01L21/308
摘要:
Formation of at least one deep trench structure comprises providing at least one deep trench having sidewalls that extend to a common bottom wall in a substrate surface, each of the deep trenches having initial dimensions that are wider than targeted dimensions for the deep trenches; and forming an epitaxial silicon film on at least some portions of the sidewalls to reduce the initial dimensions of the deep trenches to the targeted dimensions.
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笔记
10
EP1570487B1
ARCHITECTURE FOR HIGH-SPEED MAGNETIC MEMORIES
发明授权
标题翻译:
高速磁存储器的结构
公开(公告)号:
EP1570487B1
公开(公告)日:
2008-04-09
申请号:
EP03789209.8
申请日:
2003-12-10
发明(设计)人:
Gogl, Dietmar
Scheuerlein, Roy Edwin
Reohr, William Robert
申请(专利权)人:
Infineon Technologies AG
IBM International Business Machines Corporation
代理机构:
Kottmann, Heinz Dieter
IPC分类号:
G11C11/16
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