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1

US20160181087A1

Particle removal with minimal etching of silicon-germanium

发明申请

标题翻译:

硅锗的最小刻蚀去除颗粒

公开(公告)号:

US20160181087A1

公开(公告)日:

2016-06-23

申请号:

US14/576,554

申请日:

2014-12-19

发明(设计)人:

Foster, John

Bentley, Steven

Lin, Sean

Rath, Dave

Sankarapandian, Muthumanickam

Xie, Ruilong

申请(专利权)人:

Intermolecular Inc.

IBM-International Business Machines Corporation

IPC分类号:

H01L21/02

摘要:

Particle-clean formulations and methods for semiconductor substrates use aqueous solutions of tetraethylammonium hydroxide (“TEAH,” C8H21NO) with or without hydrogen peroxide (H2O2). The solution pH ranges from 8-12.5. At process temperatures between 20-70 C, the TEAH solutions have been observed to remove particles from silicon-germanium (SiGe) with 20-99% Ge content in 15-300 seconds with very little etching (SiGe etch rates<1 nm/min).

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2

DE102004023407B8

Testvorrichtung und Verfahren zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns sowie zugehöriger Halbleiterchip

发明授权

标题翻译:

测试装置及测试嵌入式存储器核心及相关半导体晶片的方法

公开(公告)号:

DE102004023407B8

公开(公告)日:

2014-01-23

申请号:

DE102004023407

申请日:

2004-05-12

发明(设计)人:

Wang, Li

Boehler, Thomas

Dasappa, Jairam Vasudev

申请(专利权)人:

Infineon Technologies AG

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

G11C7/24

摘要:

Testvorrichtung zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns (100) auf einem Halbleiterchip mit einer integrierten Selbsttest-Schaltung (102) mit: einer Vorrichtung (142) zum Simulieren eines integrierten Selbsttests mit einer Steuerschnittstelle zum Initialisieren und Takten der integrierten Selbsttest-Schaltung auf dem Halbleiterchip; einem Adressengenerator (144) zum Generieren einer ersten Adressensequenz, die mit einer zweiten Adressensequenz übereinstimmt, die von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100) generiert wird, wobei der Adressengenerator (144) Taktungsinformationen von der Vorrichtung (142) zum Simulieren des integrierten Selbsttests zum Synchronisieren der ersten Adressensequenz mit der zweiten Adressensequenz empfängt; und Dateneingabeknoten (138) zum Empfangen von Datenausgangsbussignalen von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100), wobei die Datenausgangsbussignale anzeigen, ob einzelne Speicherzellen den integrierten Selbsttest nicht bestanden haben, und wobei die Testvorrichtung dazu ausgebildet ist, einen bestimmten Speicherzellenfehler mit einer entsprechenden Adresse zu korrelieren, die von dem Adressengenerator (144) generiert wird.

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笔记

3

DE102012218390A1

Optimierung der Erkennung von Objekten in Bildern

发明申请

标题翻译:

图像中物体识别的优化

公开(公告)号:

DE102012218390A1

公开(公告)日:

2013-04-25

申请号:

DE102012218390

申请日:

2012-10-09

发明(设计)人:

Li, Ying

Pankanti, Sharathchandra

申请(专利权)人:

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

G06K9/62

摘要:

Ein System und Verfahren erkennen Objekte in einem digitalen Bild. Es werden mindestens Positionsdaten empfangen, die einem Fahrzeug zugeordnet sind. Geographische Informationen, die zu den Positionsdaten gehören, werden empfangen. Auf der Grundlage der geographischen Daten wird eine Wahrscheinlichkeit für das Erkennen eines Zielobjektes innerhalb eines entsprechenden geographischen Bereichs ermittelt. Die Wahrscheinlichkeit wird mit einem gegebenen Schwellenwert verglichen. Als Reaktion darauf, dass die Wahrscheinlichkeit größer oder gleich dem gegebenen Schwellenwert ist, wird ein Objekterkennungsprozess mindestens eines von aktiviert und in einem aktivierten Zustand gehalten. Der Objekterkennungsprozess erkennt Zielobjekte innerhalb eines Bildes, das mindestens ein Einzelbild einer Videobildfolge einer externen Umgebung darstellt. Als Reaktion darauf, dass die Wahrscheinlichkeit unter dem gegebenen Schwellenwert liegt, wird der Objekterkennungsprozess mindestens eines von deaktiviert und in einem deaktivierten Zustand gehalten.

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笔记

4

DE102004023407B4

Testvorrichtung und Verfahren zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns sowie zugehöriger Halbleiterchip

发明授权

标题翻译:

测试装置及测试嵌入式存储器核心及相关半导体晶片的方法

公开(公告)号:

DE102004023407B4

公开(公告)日:

2013-10-10

申请号:

DE102004023407

申请日:

2004-05-12

发明(设计)人:

Wang, Li

Boehler, Thomas

Dasappa, Jairam Vasudev

申请(专利权)人:

Infineon Technologies AG

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

G11C7/24

摘要:

Testvorrichtung zum Testen eines eingebetteten Speicherkerns (100) auf einem Halbleiterchip mit einer integrierten Selbsttest-Schaltung (102) mit: einer Vorrichtung (142) zum Simulieren eines integrierten Selbsttests mit einer Steuerschnittstelle zum Initialisieren und Takten der integrierten Selbsttest-Schaltung auf dem Halbleiterchip; einem Adressengenerator (144) zum Generieren einer ersten Adressensequenz, die mit einer zweiten Adressensequenz übereinstimmt, die von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100) generiert wird, wobei der Adressengenerator (144) Taktungsinformationen von der Vorrichtung (142) zum Simulieren des integrierten Selbsttests zum Synchronisieren der ersten Adressensequenz mit der zweiten Adressensequenz empfängt; und Dateneingabeknoten (138) zum Empfangen von Datenausgangsbussignalen von der integrierten Selbsttest-Schaltung (102) während des integrierten Selbsttests des eingebetteten Speicherkerns (100), wobei die Datenausgangsbussignale anzeigen, ob einzelne Speicherzellen den integrierten Selbsttest nicht bestanden haben, und wobei die Testvorrichtung dazu ausgebildet ist, einen bestimmten Speicherzellenfehler mit einer entsprechenden Adresse zu korrelieren, die von dem Adressengenerator (144) generiert wird.

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笔记

5

DE602006012843D1

VERBESSERUNG DER VERARBEITUNG IN DATENVERARBEITUNGSUMGEBUNGEN MIT SEITENERSETZUNG FÜR GASTENANWENDUNGEN

外观设计

标题翻译:

提高数据处理环境中的处理水平,对气体应用程序进行侧移处理

公开(公告)号:

DE602006012843D1

公开(公告)日:

2010-04-22

申请号:

DE602006012843

申请日:

2006-07-13

发明(设计)人:

Franke, Hubertus

Heller, Lisa

Adlung, Ingo

Holder, William

Mansell, Ray

Osisek, Damian

Philley, Randall

Schwidefsky, Martin

Sittmann, Gustav

Choi, Jong Hyuk

申请(专利权)人:

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

G06F9/455

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笔记

6

DE10296608B4

Verfahren zum Herstellen einer Speicherzelle

发明授权

标题翻译:

制造存储单元的方法

公开(公告)号:

DE10296608B4

公开(公告)日:

2010-10-14

申请号:

DE10296608

申请日:

2002-04-08

发明(设计)人:

Radens, Carl

Kudelka, Stephan

Dyer, Thomas W

Prakash, Jai V C

申请(专利权)人:

Qimonda AG

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

H01L21/8242

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笔记

7

DE60320301T2

公开(公告)号:

DE60320301T2

公开(公告)日:

2009-06-25

申请号:

DE60320301

申请日:

2003-12-10

发明(设计)人:

Reohr, William Robert

Gogl, Dietmar

Scheuerlein, Roy Edwin

申请(专利权)人:

Qimonda AG

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

G11C11/16

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笔记

8

DE10315050B4

Niederspannungspegelwandler mit Zwischenspeicherfunktion

发明授权

标题翻译:

索赔人称,但也可以说,

公开(公告)号:

DE10315050B4

公开(公告)日:

2009-04-23

申请号:

DE10315050

申请日:

2003-04-02

发明(设计)人:

Kirihata, Toshiaki

Mueller, Gerhard

Hanson, David

申请(专利权)人:

Qimonda AG

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

H03K19/0185

摘要:

Die Erfindung betrifft eine Niederspannungspegel-Wandlerschaltung mit einem eingebetteten Zwischenspeicher, die auf einer Signalleitung implementiert ist, auf der Niederspannungssignale anliegen. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Niederspannungspegel-Wandlerschaltung, die zum Empfangen von Niederspannungs-Eingangssignalen von einem ersten Abschnitt der Signalleitung und zum Ausgeben von Ausgangssignalen höherer Spannung auf einem zweiten Abschnitt der Signalleitung ausgelegt ist. Die Erfindung betrifft außerdem eine Zwischenspeicherschaltung, die zum Zwischenspeichern von Niederspannungs-Eingangssignalen von dem ersten Abschnitt der Signalleitung ausgelegt ist.

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笔记

9

DE10310080B4

Formation of at least one deep trench structure comprises forming epitaxial silicon film on at least some portions of sidewalls of deep trench to reduce initial dimensions of deep trenches to targeted dimensions

发明授权

标题翻译:

形成至少一个深沟槽结构包括在深沟槽的侧壁的至少一些部分上形成外延硅膜,以将深沟槽的初始尺寸减小到目标尺寸,

公开(公告)号:

DE10310080B4

公开(公告)日:

2009-05-07

申请号:

DE10310080

申请日:

2003-03-07

发明(设计)人:

Chan, Kevin

Kulkarni, Subhash

Mathad, Gangadhara

Ranade, Raijv M

申请(专利权)人:

Qimonda AG

IBM INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION

IPC分类号:

H01L21/308

摘要:

Formation of at least one deep trench structure comprises providing at least one deep trench having sidewalls that extend to a common bottom wall in a substrate surface, each of the deep trenches having initial dimensions that are wider than targeted dimensions for the deep trenches; and forming an epitaxial silicon film on at least some portions of the sidewalls to reduce the initial dimensions of the deep trenches to the targeted dimensions.

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10

EP1570487B1

ARCHITECTURE FOR HIGH-SPEED MAGNETIC MEMORIES

发明授权

标题翻译:

高速磁存储器的结构

公开(公告)号:

EP1570487B1

公开(公告)日:

2008-04-09

申请号:

EP03789209.8

申请日:

2003-12-10

发明(设计)人:

Gogl, Dietmar

Scheuerlein, Roy Edwin

Reohr, William Robert

申请(专利权)人:

Infineon Technologies AG

IBM International Business Machines Corporation

代理机构:

Kottmann, Heinz Dieter

IPC分类号:

G11C11/16

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